Equipe COM

Responsable : Catherine MARICHY

L’équipe Couches Minces travaille essentiellement sur l’élaboration et la caractérisation de couches minces dont les épaisseurs peuvent varier de quelques mono-couches atomiques à quelques dizaines de µm. Les matériaux déposés sont essentiellement des semi-conducteurs (SiC, GaN, ZnO, Si) et des isolants (BN, SiO₂, ZrO₂, TiO₂, Al₂O₃). Pour ce faire, les membres de l’équipe emploient différentes techniques de dépôt par voie chimique (CVD, VLS, Sol-gel, PDC) pour des applications, à travers des collaborations à la fois académiques et industrielles, aussi différentes que l’électronique de puissance, la téléphonie mobile, l’aérospatiale, les revêtements hydrophiles ou hydrophobes… L’équipe COM travaille très concrètement depuis de nombreuses années notamment avec ST Microelectronics, l’UMS, III-V lab et SOITEC.

Nos activités se répartissent essentiellement sur quatre thématiques :

1. L’épitaxie de semi-conducteurs à grand gap. L’équipe qui a une compétence historique sur la synthèse de SiC par homo et hétéro-épitaxie s’intéresse actuellement à la structuration de surface du 4H-SiC. La fabrication et l’étude d’hétéro-structures à base de nitrures pour des applications en électronique de puissance donnent lieu à une forte recherche partenariale. Enfin, le dépôt par CVD de carbure de bore est un sujet émergeant.
2. La synthèse de films ultra-minces et de nanostructures par ALD. Une attention particulière est portée aux mécanismes mis en jeu lors de la croissance notamment en ce qui concerne le dépôt de matériaux à base de bore. De même des approches ALD alternatives sont étudiées.
3. Chimie et héritage culturel.

Les membres de l’équipe s’impliquent aussi fortement dans le laboratoire commun ASCI.