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Activités Epitaxie

3 avril 2008

Applications visées

- Electronique de puissance, génie électrique
=>Collaborations avec les laboratoires « Ampère » et INL de I@L

- Optoélectronique, hyperfréquence

Activités

  • Epitaxie en phase liquide (VLS) du semiconducteur 3C-SiC de haute qualité cristalline

Elimination des macles, défaut très difficile à éliminer avec d’autres types de croissance

Suite à la réussite de l’obtention de couches monocristallines du polytype 3C-SiC monodomaines sur substrat 6H, le LMI s’est impliqué dans un projet Européen appelé MANSIC dont le but est de promouvoir la fabrication mais également la caractérisation de ce polytype, de même que des tests de fonctionnement dans des composants. Des laboratoires européens (7 pays) aux savoir-faire complémentaires sont impliquées dans ce projet qui finance également la formation de doctorants et postdocs dans ces différents pays.
En savoir plus : MANSIC.

Couche de 3C-SiC sur 6H épitaxiée en VLS et épaissie en CVD (épaisseur 9 µm)

  • Epitaxie en phase vapeur (CVD) de semiconducteurs 4H-SiC et 3C-SiC en couches minces et épaisses

Croissance localisée et fortement dopée p+ de 4H-SiC Exemple de réalisation

  • Optimisation des contacts métal/semiconducteur (thématique transverse : équipes 1 et 3)

Contacts ohmiques

- Détermination de la composition chimique optimale de la métallisation,
- Optimisation de la préparation de surface et des traitements thermiques,
- Minimisation de la résistance spécifique,
- Optimisation de la morphologie,
- Étude des réactions interfaciales et détermination des phases stables,
- Modélisation des mécanismes de conduction,
- Optimisation de la tenue au vieillissement,

Contacts redresseurs Schottky pour commutateurs rapides

Mêmes problématiques que pour les contacts ohmiques,
- Optimisation de la hauteur de la barrière Schottky,
- Minimisation du coefficient d’idéalité de la barrière,
- Étude de l’influence des défauts cristallins sur les propriétés électriques de la barrière Schottky,

  • Croissance de nanofils à base de Si sur substrats Si à partir d’un catalyseur métal (thématique transverse : équipes 1 et 2)
    - Utilisation de particules d’or
    - Recherche de métaux de remplacement