Accueil > La recherche > Les Equipes de Recherche > CIMP : Chimie Inorganique Moléculaire et Précurseurs > Chimie des Polymères Inorganiques

Formulation de précurseurs pour l’ALD (Atomic Layer Deposition)

publié le , mis à jour le

Les précurseurs pour l’ALD (Atomic Layer Deposition)
C. Marichy (CR CNRS)

L’ALD est une méthode de dépôt de films ultraminces sur substrat, développée dans l’équipe 2, Couches minces. Elle est basée sur l’utilisation successive et séquencée de deux précurseurs qui vont réagir l’un avec l’autre une fois adsorbée sur le substrat. Dans ce sens, la méthode nécessite l’utilisation de précurseurs très spécifiques qu’il est souvent nécessaire de synthétiser à façon. En effet, les précurseurs doivent être volatiles ou aisément sublimables et inertes envers lui même, ils doivent présenter une bonne stabilité thermique et une réactivité suffisante et contrôlée vis-à-vis du second précurseur. Enfin, les produits de la réaction doit être eux même volatiles et ne pas réagir vis-à-vis des deux précurseurs de départ et/ou du matériau formé.
Un sujet de recherche traite du dépôt de nitrure de bore hexagonal par ALD et une activité de l’axe concerne le développement et la synthèse de précurseurs de BN répondant à tous les points du cahier des charges imposés par la méthode.

Thèse en cours (Bourse CSC) : “A new Atomic Layer Deposition approach for h-BN thin films deposit”, Wenjun HAO.