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Hétérostructures bi-dimensionnelles nitrure de bore hexagonal/graphène

publié le , mis à jour le

Titre de la thèse : Conception d’hétérostructures bi-dimensionnelles nitrure de bore hexagonal/graphène sur carbure de silicium

Title of the thesis : Design of Two-Dimensional Hexagonal Boron Nitride / Graphene Heterostructure on Silicon carbide

Dans ce travail, nous envisageons d’épitaxier une structure monocristalline h-BN/graphène sur un semiconducteur à large bande interdite, SiC. Du point de vue applicatif, cette structure servira de plate-forme pour fabriquer des dispositifs électroniques à haute vitesse et des réseaux denses de nanorubans de graphène, utilisés pour introduire une bande interdite. On fera croître le graphène épitaxié avec un nombre contrôlé de couches en chauffant le monocristal de SiC sous vide poussé ou dans une atmosphère de gaz inerte. En recouvrant par spin- (ou dip-) coating un substrat de SiC avec un polymère contenant B et N et en le chauffant sous vide, nous prévoyons de faire croître des couches de h-BN 2D et idéalement de former pendant le même traitement un peu de graphène afin d’obtenir des hétérostructures h-BN/graphène. Nous prévoyons également d’utiliser une impression 3D pour localiser le polymère contenant B et N et ainsi contrôler spatialement cette hétérostructure h-BN/graphène sur le substrat de SiC.

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